설명
수평식 튜브로
개요
- Horizontal Tube Furnace
- 발열체 : SiC
- 프로세스 튜브 : Quartz
분위기 기스
- Ar / N2 / O2 /He / Vacuum
용도
- wafer 열처리, 신소재 산화, 소결, 환원 등.
사양
개요
- Horizontal Tube Furnace
- 발열체 : SiC
- 프로세스 튜브 : Quartz
분위기 기스
- Ar / N2 / O2 /He / Vacuum
용도
- wafer 열처리, 신소재 산화, 소결, 환원 등.
사양
| - Heater temperature | : 200℃ ~ 1300℃ |
| - Furnace tube | : 1 - tube (Max 3-tube) |
| - Wafer size | : 4 inch, 6 inch, 8 inch |
| - Loading capacity | : 15 ~ 100 pcs |
| - Ultimate pressure | : 5×10 -3 torr |
| - Vacuum pump | : Rotary pump (option : Booster or Turbo pump) |
| - Heater | : SiC |
| - Process control | : Auto process. control |
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